Tecnologia inédita revela falhas atômicas que podem afetar chips de computador

Cientistas enxergam falhas microscópicas em transistores de chips modernos (Imagem: Sasirin pamai's Images via Canva)
Cientistas enxergam falhas microscópicas em transistores de chips modernos (Imagem: Sasirin pamai's Images via Canva)

Os chips de computador estão presentes em praticamente todos os dispositivos modernos, de smartphones a centros de dados de inteligência artificial. No entanto, à medida que esses componentes se tornam cada vez menores, entender suas falhas internas se torna um desafio monumental. Agora, cientistas deram um passo importante ao conseguir observar, pela primeira vez, defeitos em escala atômica dentro de transistores, estruturas fundamentais dos chips.

A descoberta foi realizada por pesquisadores da Universidade Cornell e publicada na revista científica Nature Communications. O estudo, liderado por Shake Karapetyan e David A. Muller, apresenta uma técnica avançada de imagem tridimensional em nível atômico, capaz de revelar irregularidades extremamente pequenas que antes eram impossíveis de visualizar.

Os pesquisadores identificaram imperfeições microscópicas nas interfaces dos transistores, que foram apelidadas de “mordidas de rato” devido ao formato irregular observado nas estruturas. Entre os principais pontos da descoberta, destacam-se:

  • Visualização direta da posição de átomos individuais dentro do transistor;
  • Identificação de rugosidades atômicas nas paredes dos canais condutores;
  • Compreensão mais detalhada das falhas surgidas durante a fabricação de semicondutores.

Essas observações são essenciais porque, em escalas tão pequenas, qualquer irregularidade pode afetar o fluxo de elétrons e comprometer o desempenho do chip.

Quando poucos átomos definem o desempenho de um chip

O coração de um processador moderno é o transistor, um componente que funciona como um interruptor elétrico microscópico. Ele controla a passagem de corrente por um canal extremamente fino.

Hoje, em chips avançados, esse canal pode ter apenas 15 a 18 átomos de largura. Em outras palavras, a posição exata de cada átomo passa a influenciar diretamente o funcionamento do dispositivo.

Isso significa que pequenas irregularidades na estrutura, quase imperceptíveis, podem criar resistência ao fluxo de elétrons, reduzindo a eficiência do circuito.

Além disso, a complexidade dos chips aumentou significativamente nas últimas décadas. Enquanto os primeiros transistores eram organizados em estruturas planas, os dispositivos atuais utilizam arquiteturas tridimensionais empilhadas, permitindo acomodar bilhões de transistores em um único chip.

A tecnologia que permitiu enxergar o invisível

Para revelar essas estruturas minúsculas, os pesquisadores utilizaram uma técnica chamada pticografia eletrônica, combinada com um detector avançado conhecido como EMPAD.

Esse método registra padrões de dispersão gerados quando feixes de elétrons atravessam o material. Em seguida, algoritmos computacionais reconstruem as imagens, criando modelos tridimensionais extremamente detalhados da estrutura atômica.

A resolução obtida é tão alta que já foi reconhecida pelo Guinness World Records como uma das imagens mais precisas já registradas em microscopia eletrônica.

O impacto para a próxima geração de tecnologias

A capacidade de observar falhas atômicas em chips semicondutores pode transformar a forma como dispositivos eletrônicos são projetados e fabricados. Com esse nível de análise, engenheiros poderão:

  • Aprimorar processos de fabricação de semicondutores;
  • Reduzir defeitos que afetam o desempenho de chips;
  • Desenvolver componentes mais eficientes para computação avançada.

Além disso, a técnica pode contribuir para áreas emergentes como computação quântica, que exige controle extremamente preciso sobre a estrutura dos materiais.

Assim, enxergar defeitos invisíveis pode ser o primeiro passo para construir chips mais rápidos, confiáveis e eficientes, abrindo caminho para a próxima geração de tecnologias digitais.

Escrito por Leandro C. Sinis, Biólogo (UFRJ) para o Fala Ciência.

Leandro C. Sinis é biólogo formado pela UFRJ e divulgador científico. Com experiência em pesquisa acadêmica, é coautor de um estudo sobre neuroproteção publicado no Journal of Biological Chemistry (DOI: 10.1074/jbc.m117.807180). Sua missão no Fala Ciência é traduzir descobertas complexas em conhecimento acessível e seguro para todos. Ver perfil no LinkedIn | Ver Currículo Lattes